浙江首個第三代半導體材料項目簽約,總投資達10.5億

導語: 近日從杭州灣新區管委會獲悉,新區與中國電子信息產業集團有限公司全資子公司——華大半導體有限公司完成寬禁帶半導體材料項目簽約。這是新區搶抓半導體材料技術迭代發展機遇的最新成果,標志著新區集成電路全產業鏈進一步完善,數字經濟產業發展迎來“芯”動力。

  近日從杭州灣新區管委會獲悉,新區與中國電子信息產業集團有限公司全資子公司——華大半導體有限公司完成寬禁帶半導體材料項目簽約。這是新區搶抓半導體材料技術迭代發展機遇的最新成果,標志著新區集成電路全產業鏈進一步完善,數字經濟產業發展迎來“芯”動力。

項目總投資10.5億元,計劃年產8萬片4吋至6吋碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片,產品可廣泛應用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。

據悉,該項目是全省首個第三代半導體材料項目。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,已成為半導體技術研究前沿和競爭焦點。

“設計、研發、制造、封裝、測試……半導體產業鏈條上的任一環節的技術門檻都很高。華大寬禁帶半導體材料項目專注半導體制造過程的前端工序——半導體材料,而且還是屬于時下發展大熱門的第三代半導體材料。”杭州灣新區管委會有關負責人表示,新時期集成電路產業發展背景下,該項目的簽約對新區搶占下一代信息技術制高點具有較大發展意義。

 

來源:中國寧波網 中國照明網?編輯:嚴志祥

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